Thiết kế thí nghiệm (DOE) tạo hình chùm tia hình nón tròn 1064nm | Điểm hội tụ phẳng Φ50µm cho laser hồng ngoại (IR)

Tạo hình chùm tia hình nón tròn 1064nm DOE | Điểm phẳng Φ50µm cho laser hồng ngoại (IR) Hình ảnh nổi bật

Thiết kế thí nghiệm (DOE) tạo hình chùm tia hình nón tròn 1064nm | Điểm hội tụ phẳng Φ50µm cho laser hồng ngoại (IR)

Các thấu kính nhiễu xạ định hình chùm tia (Beam-shaping DOE) tạo ra các chùm tia có đỉnh phẳng, đặc trưng bởi cường độ đồng đều, chuyển tiếp dốc tại các ranh giới và hình dạng do người dùng cuối xác định. Nhờ tính linh hoạt này, chúng nằm trong số các phần tử quang học nhiễu xạ được sử dụng rộng rãi nhất hiện nay.

Loại	Tham số	Thông số kỹ thuật
Thông số hệ thống	Bước sóng thiết kế [nm]	1064
	Chất lượng chùm tia (M²)	≤ 1,2
	Kích thước chùm tia đầu vào (e⁻²) [mm]	8
	Tiêu cự mô-đun lấy nét [mm]	75
Các thông số DOE	Khẩu độ trong của DOE [mm]	Φ20
	Đường kính ngoài cơ học DOE [mm]	Φ25,4 × 2
	Đặt hàng	16
Thông số đầu ra	Hình dạng chùm tia	Thông báo
	Kích thước chùm tia định hình [µm]	Φ50
	Độ đồng đều chùm tia định hình (RMS)	> 90%
	Hiệu suất nhiễu xạ tổng cộng (e⁻²)	> 90%

Gửi email cho chúng tôi

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Thông qua hiệu ứng giao thoa, một sự phân bố cường độ ánh sáng cụ thể được tạo ra tại một mặt phẳng đã chọn (thường nằm ở vô cực hoặc tại mặt phẳng tiêu cự của thấu kính). Điều này được thực hiện bằng cách điều chỉnh các bậc nhiễu xạ và khoảng cách vật thể. Cơ chế cơ bản bắt đầu với bề mặt vi cấu trúc của DOE, làm thay đổi pha truyền qua của chùm tia laser, do đó áp dụng điều chế pha cho sóng ánh sáng tới và phân tán nó thành nhiều bậc.

Với đường kính ngoài Φ25,4 mm (1 inch) và khẩu độ trong suốt Φ12 mm, thấu kính khuếch đại quang học (DOE) hiệu suất cao này được thiết kế để phù hợp với các giá đỡ quang cơ tiêu chuẩn mà không cần sửa đổi. Khi được sử dụng với laser xanh 532 nm, nó định hình lại chùm tia Gaussian thô thành một vòng tròn đỉnh phẳng Φ60 µm với các cạnh sắc nét, độ chiếu xạ đồng đều và các đỉnh cường độ tối thiểu.

Cấu trúc bề mặt 16 lớp mang lại hiệu suất nhiễu xạ tổng thể >90% và độ đồng nhất >90% RMS, rất phù hợp cho việc gia công chính xác màng mỏng, gia công vi mô và sản xuất thiết bị y tế.